На этой неделе компания Samsung Electronics продемонстрировала два прототипа микросхем памяти, которые доказывают способность компании продолжать сокращение размеров своих чипов.
В понедельник корейский электронный гигант представил 8-Гбит микросхему флеш-памяти на базе 60-нм технологического процесса, а также 2-Гбит микросхему DDR DRAM на основе 80-нм технологии. Оба чипа при меньших размерах вмещают гораздо больше данных, чем современные микросхемы, что должно сделать их более дешевыми и мощными. Флеш-чип предназначен для конструкторов потребительской электроники и позволяет упаковать до 16 Гбайт данных на одной карте памяти. Эта емкость соответствует 16 часам видео DVD-качества или 4000 аудиофайлов МР3 (по 5 минут на песню). Современные флеш-карты вмещают максимум 4 Гбайт.
Однако оба чипа — лишь прототипы. Только в этом году компании приступили к производству микросхем на базе 90-нм технологического процесса. 80-нм чипы появятся не раньше, чем через год, а 65-нм дебютируют в лучшем случае в конце 2005 года.
И все же полученный результат доказывает, что Samsung, лидирующая на обоих рынках флеш-памяти и DRAM, продолжает толкать производство вперед, так же как Intel совершенствует свой производственный процесс, чтобы доминировать на рынке микропроцессоров. В целом Samsung стала вторым по величине производителем микросхем после Intel и энергично конкурирует с Intel на рынке флеш-памяти. Кроме того, Samsung старается наращивать производство процессоров для карманных устройств, что также накаляет конкурентную борьбу между двумя компаниями.
Высокой плотности флеш-чипа удалось достичь отчасти благодаря использованию трехмерной структуры транзисторных элементов. Трехмерные конструкции применяют и другие компании, такие как Matrix Semiconductor в США.
Плотность флеш-микросхем удваивается каждый год, начиная с 1999 года, отмечает СЕО полупроводникового отделения Samsung Electronics Чхан Гью Хван. В самой Samsung способность так быстро увеличивать плотность называют «законом Хвана».
По оценке Хвана, мировой рынок полупроводников в будущем году должен вырасти чуть меньше, чем на 10% после примерно 20%-го прироста в 2004 году.
На прошлой неделе Morgan Stanley понизил прогноз роста полупроводниковой индустрии на 2005 год до 8-12% с предыдущей оценки в 13-18%.
ZDNet Korea
Теги: Память Комплектующие Компьютеры
|